Lu ramu havi na risistenza â curruzzioni 'ccizziunali nta l'ambienti sicchi, ma è distinatu a furmari pàtina nta l'umidità auta o nta l'ambienti ca cuntèninu sùrfuru a gas, purtannu a n'aumentu dâ risistenza ô cuntattu. La supirfici di l'alluminu è distinata a furmari na pillìcula di ossidu densa, ca mmeci po evitari ultiriuri curruzzioni. Cumunca, la risistenza dû film di ossidu (circa 10⁻6Ω·cm2) è assai cchiù auta di chiḍḍa dû sustratu di ramu (10−6Ω·cm2), e s’àvi a migghiurari cu la placcatura di latta, la placcatura di nichel o lu trattamentu di ossidazzioni anòdica.
‘N termini di nfruenza dâ timpiratura ncapu la cunnuttività elèttrica, lu cufficenti di timpiratura di risistenza dû ramu (0,0043/ gradu ) è cchiù vasciu di chiḍḍu di l’alluminu (0,0041/ gradu ), ma lu cufficenti di spanzioni tèrmica di l’alluminu (23,6×10−6/ gradu ) è chiḍḍu di 14. (16,5×10⁻⁶/ gradu ). Ntê scinari cu fluttuazzioni di timpiraturi mpurtanti, l'espansioni tèrmica e la cuntrazzioni dî barri di alluminnu su' cchiù marcati, ca ponnu causari l'allungamentu ntê punti di cunnissioni. Chistu si po alliviari attraversu la pruggettazzioni strutturali (comu riservari li pirtusi d'espansioni) o usannu cunnittura flissìbbili.